真我GT2大师探索版已定于7月12日正式发布,realme副总裁徐起曾暗示,这次大探2带来了不少全球领先的首发技术,让很多网友很是期待。

今日,真我官方带来真我GT2大师探索版的新消息,该机将采用真我手机史上最强散热——双VC冰芯散热MAX。

据介绍,这套散热方案有别于常规的单面传导,采用三明治立体双VC结构,VC面积高达4811m㎡,宣称散热堪比游戏手机。

今早,真我官宣,真我GT2大师探索版内置全球首发的LPDDR5X芯片,这相比上一代LPDDR5存储芯片,在保持高速传输的同时,功耗降低20%。

此外,该机将搭载高通骁龙8+旗舰处理器,配备120Hz超窄天际屏,侧边宽度仅为1.48mm,该机还采用COP封装工艺,将下巴缩短至2.37mm,使得屏占比高达94.2%。

真我GT2大师探索版在设计上也下了大功夫,由国际著名潮流设计师Jae Jung主理设计,硬箱造型的直角金属中框,背面采用环保素皮,并且还有金属铆钉装饰,辨识度拉满。

相信这款质感旗舰还会有更多的首发技术,等待官方为我们揭晓。

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